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自从石墨烯被发现以来，咆哮其制备技术也同时引起学术界的广泛关注。一直从事纳米材料化学与纳米器件研究，咆哮当前研究兴趣包括石墨烯、咆哮拓扑绝缘体、二维硫族半导体等高迁移率二维材料的制备方法、化学调制与光电器件应用基础研究。

图3.石墨烯在金属表面的生长示意图在制备高质量石墨烯的过程中，咆哮往往需要引入氢气来促进碳源裂解，提高石墨烯的均匀性和质量。1983年毕业于长春工业大学，咆哮1984年留学日本，1990年获东京大学博士，1991－1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。还担任国家自然科学基金委员会第十四届专家评审组专家、咆哮中国化学会常务理事及纳米化学专业委员会创始主任、中国微米纳米技术学会常务理事。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，咆哮投稿邮箱[email protected]。文献链接：咆哮BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）【部分参考文献】[1]   X.Li,W.Cai,L.Colombo,etal.Evolutionofgraphenegrowthonniandcubycarbonisotopelabeling[J].NanoLett,2009,9(12):4268-72.[2]   W.Liu,S.Kraemer,D.Sarkar,etal.Controllableandrapidsynthesisofhigh-qualityandlarge-areabernalstackedbilayergrapheneusingchemicalvapordeposition[J].ChemMater,2014,26(2):907-15.[3]   K.Yan,H.Peng,Y.Zhou,etal.Formationofbilayerbernalgraphene:Layer-by-layerepitaxyviachemicalvapordeposition[J].NanoLett,2011,11(3):1106-10.[4]   L.Liu,H.Zhou,R.Cheng,etal.High-yieldchemicalvapordepositiongrowthofhigh-qualitylarge-areaab-stackedbilayergraphene[J].ACSNano,2012,6(9):8241-9.[5]   Y.Hao,L.Wang,Y.Liu,etal.Oxygen-activatedgrowthandbandgaptunabilityoflargesingle-crystalbilayergraphene[J].NatureNanotechnology,2016,11(426).[6]   T.Ma,Z.Liu,J.Wen,etal.Tailoringthethermalandelectricaltransportpropertiesofgraphenefilmsbygrainsizeengineering[J].NatureCommunications,2017,8(14486).[7]   X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Graphenefilmswithlargedomainsizebyatwo-stepchemicalvapordepositionprocess[J].NanoLett,2010,10(11):4328-34.[8]   H.Zhou,W.J.Yu,L.Liu,etal.Chemicalvapourdepositiongrowthoflargesinglecrystalsofmonolayerandbilayergraphene[J].NatureCommunications,2013,4(2096).[9]   X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Large-areagraphenesinglecrystalsgrownbylow-pressurechemicalvapordepositionofmethaneoncopper[J].JAmChemSoc,2011,133(9):2816-9.[10] A.Mohsin,L.Liu,P.Liu,etal.Synthesisofmillimeter-sizehexagon-shapedgraphenesinglecrystalsonresolidifiedcopper[J].ACSNano,2013,7(10):8924-31.[11] J.-H.Lee,E.K.Lee,W.-J.Joo,etal.Wafer-scalegrowthofsingle-crystalmonolayergrapheneonreusablehydrogen-terminatedgermanium[J].Science,2014,344(6181):286-9.[12] L.Gao,W.Ren,H.Xu,etal.Repeatedgrowthandbubblingtransferofgraphenewithmillimetre-sizesingle-crystalgrainsusingplatinum[J].NatureCommunications,2012,3(699).[13] Z.Zhang,J.Du,D.Zhang,etal.Rosin-enabledultracleananddamage-freetransferofgrapheneforlarge-areaflexibleorganiclight-emittingdiodes[J].NatureCommunications,2017,8(14560).团队简介刘忠范中科院院士，咆哮教授北京大学化学与分子工程学院个人简介北京大学博雅讲席教授（2016.11.21）、中国科学院院士（2011.12.10）、发展中国家科学院院士（2015.11）。

咆哮衬底的选择对于石墨烯的生长来说尤其重要。

外界条件控制主要包括温度、咆哮压强、气体的流速和种类、等离子化、加热方式等。咆哮本文由材料人金属编辑部张金洋编译整理。

咆哮（c）一次激光通过LENSTM处理的Zr的XRD图谱。激光扫描后，咆哮沉积的Zr层的硬度由268HV0.1增加到320HV0.1。

激光工程净成形（LENSTM）是一种直接能量沉积的增材制造技术，咆哮制备近净成型部件、组成分级零件、结构分级部件、制造表面涂层和修复现有部件。咆哮（b）一次激光通过的硬度与深度的关系图